新型GaN/Ga2O3 HEMT以及Ga2O3/GaN异质结构的外延生长  

出　　处：《半导体信息》2020年第3期14-16,共3页Semiconductor Information

摘　　要：来自德国和意大利的研究人员一直在探索在蓝宝石衬底上生长ε-多型氧化镓(ε-Ga2O3)和氮化镓(GaN)集合的外延生长方法,以期将其应用在高电子迁移率晶体管(HEMT)中(Stefano Leone等人,Journal of Crystal Growth,vol534,p125511,2020)。

关 键 词：GA2O3 外延生长 异质结构 氧化镓 GAN HEMT 蓝宝石衬底 Crystal 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]