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Ge_(0.05)Si_(0.95)/Si脊形光波导的分析及设计
《半导体光电》1999年第5期360-362,共3页刘淑平 贾跃虎 
提出了Ｇｅ０ ．０５Ｓｉ０ ．９５／Ｓｉ 脊形光波导的等效模型，并在此模型的基础上利用有效折射率的数值解法计算出Ｇｅ０ ．０５Ｓｉ０ ．９５／Ｓｉ 脊形光波导的有效折射率。
关键词：光波导 脊形光波导 GESI 有效折射率 
1.3μm GeSi单波导低功耗电光开关的探索
《半导体光电》1998年第4期229-232,共4页李国正 
国家自然科学基金
分析了几次研制结果发现，注入载流子的收集途径、体电阻和发射区的面积是影响单波导电光开关功耗的主要因素。在此基础上，提出了一种Ｓｉ基ＧｅＳｉ单波导低功率电光开关新结构，经估算它的功耗约为３Ｖ×２０ｍＡ，即６０ｍＷ，比现...
关键词：光波导 电光开关 电光调制 
GeSi调制器与探测器单片光电集成被引量：1
《半导体光电》1997年第3期175-178,共4页李娜 高勇 李国正 刘恩科 
国家自然科学资金
文章以ＧｅＳｉ材料为基础，从理论和实践两方面讨论将波导、调制器、探测器集成在一起的可能性。分析结果表明，三者之间的光集成在理论上是可行的。
关键词：集成光学 波导 调制器 探测器 单片光电集成 
p－GeSi／n＋－Si异质结电光调制器
《半导体光电》1996年第3期234-237,共4页李国正 高勇 刘恩科 
国家自然科学基金
文章介绍了硅基光电子器件——ｐ－ＧｅＳｉ／ｎ＋－Ｓｉ异质结电光调制器的初步试验研究之后，给出了所研制调制器的调制深度为９０％时的调制电流约１８０ｍＡ。为了进一步减小调制电流和提高调制频率。
关键词：半导体器件 调制器 异质结 硅 锗 
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