GIDL

作品数：16被引量：12H指数：2
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LDD注入工艺对40nm中压NMOS器件HCI-GIDL效应的优化
《微电子学》2020年第5期738-742,共5页闫翼辰 蔡小五 魏兰英 蔡巧明 曹杨 杜林 
国家重点研究发展计划项目(2016YFB0901804)。
基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化。分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施对电学特性的影响。测试结果表明,两种措施均对器件的衬底电流、关态泄漏电流产生较好效果。利用TCAD工...
关键词：HCI-GIDL效应 NMOS器件 LDD注入 
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