GIDL

作品数：16被引量：12H指数：2
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Novel Operation Mechanism of Capacitorless DRAM Cell Using Impact Ionization and GIDL Effects被引量：1
《Computer Technology and Application》2013年第7期351-355,共5页Huibin Tao Jianing Hou Zhibiao Shao 
A novel operation mechanism of capacitorless SOl-DRAM （silicon on insulator dynamic random access memory） cell using impact ionization and GIDL （gated-induce drain leakage） effects for write ＂1＂ operation was pr...
关键词：DRAM CELL IONIZATION GIDL effects. 
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