HGCDTE晶体

作品数：18被引量：26H指数：2
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引晶技术在HgCdTe体单晶生长中的应用被引量：1
《激光与红外》1993年第6期37-39,36,共4页郎维和 张宝峰 杜冰 张学仁 
本文论述引入籽晶技术定向生长HgCdTe体单晶,通过石英管相对于加热器的缓慢移动来使熔区移过均匀的合成锭达到晶体生长的目的。其结构完整性及组分均匀性得到改善,并且电参数优良。已制出多元光导及光伏器件。
关键词：HGCDTE晶体 电子通道 生长 引晶 
HgCdTe晶体的缺陷吸除效应
《激光与红外》1990年第3期33-37,共5页王珏 刘激呜 俞振中 汤定元 
国家自然科学基金
利用二次离子质谱测量HgCdTe晶体杂质时发现:杂质在晶片表面附近有富集现象,实验证明该现象属缺陷吸除效应,分析了杂质富集的机理,并利用缺陷吸除工艺成功地减少了HgCdTe晶体内剩余杂质,低温电学参数、光学透过率测量结果表明:该工艺能...
关键词：HGCDTE晶体 缺陷 吸除效应 
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