HVPE

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氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究
《稀有金属》2007年第S2期87-90,共4页陈洪建 张维连 陈贵峰 李养贤 
河北省自然科学基金项目资助(2007000119)
目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等。各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术。氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方...
关键词：氮化镓(GaN) 氢化物汽相外延(HVPE) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 自支撑氮化镓(FSGaN) 
衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响
《稀有金属》2004年第3期499-501,共3页叶好华 于广辉 雷本亮 齐鸣 李爱珍 
国家"8 63" ( 2 0 0 1AA3 1110 0 )资助项目
研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响。X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明 ,不同的氮化时间导致Al2 O3表面的成核层发生变化 ,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布。
关键词：GAN 衬底氮化 氢化物气相外延 
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