云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- I2

I2: 作品数：265被引量：466H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：理学医药卫生更多>>; 相关作者：成鹏飞尹晓刚陈治明高晓明王野更多>>; 相关机构：中国科学院陕西科技大学吉林大学贵州师范大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>

基于UVM的I^2S验证IP设计被引量：5: 《合肥工业大学学报（自然科学版）》2018年第1期49-54,共6页倪伟袁琳王笑天; 国家自然科学基金资助项目(61204024); 文章采用统一验证方法学(universal verification methodology,UVM)技术开发了符合I2S(inter-IC sound)接口协议的验证IP(intellectual property),并构建了自测试验证平台对其功能进行检验。自测试验证平台产生受约束的随机激励信号检...; 关键词：统一验证方法学(UVM) SystemVerilog语言 I2S接口验证IP

基于STC15F2K60S2单片机波形发生器设计被引量：14: 《国外电子测量技术》2017年第7期98-102,共5页郭占苗; 采用STC15F2K60S2单片机控制具有I2 C总线结构的PCF8591数模转换器,产生正弦波、方波和三角波3种信号波形,通过按键K1切换波形,K2实现频率的增大,K3调节频率的减小,最终输出幅值为5V可调频率的所需波形,并在液晶显示不同波形的波形名称...; 关键词：波形发生器 STC15F2K60S2单片机 PCF8591DAC E2PROM 调频 I2 C通信协议

Bi^(3+)-Bi^(2+)-Bi^+-Ti^(3+)共掺光纤发射光谱的研究: 《信息技术》2016年第12期65-70,共6页韦明书朱晓东姜淳; 江苏省未来网络前瞻性研究项目(BY2013095-3-12); 文中建立了Bi^(3+)-Bi^(2+)-Bi^+-Ti^(3+)共掺光纤的数学模型,在模型中针对各个离子的能级列出了速率方程并建立了光在光纤中的功率传输方程。通过对这些方程的求解来分析影响自发辐射放大(ASE)谱功率的因素。数值结果显示,当用280nm、4...; 关键词：Bi3+-Bi2+-Bi+-Ti3+共掺宽带ASE 速率方程功率传输方程

Si-Bi_2Te_3光热耦合电源器件的结构设计与性能: 《半导体技术》2015年第11期815-819,共5页刘磊路雪森马昊史茂雷师建英; 国家自然科学基金资助项目(61204079);河北省自然科学基金资助项目(F2013201196);河北省青年拔尖人才支持计划资助项目(2013); 空间近日等强辐照造成的高温严重影响光伏电池的转化效率,同时造成辐射能量的浪费。以单晶Si光伏电池和Bi2Te3热电电池为基本单元,构建Si-Bi2Te3光热耦合电源器件模型。采用有限元分析法分析特定辐射条件下Si-Bi2Te3光热耦合电源器件的...; 关键词：Si光伏电池 Bi2Te3热电池 Si-Bi2Te3光热耦合电源器件有限元法分析法转化效率

欧胜发布针对移动应用带有SLIMbus和I2S接口的全新高性价比HD音频中枢: 《中国集成电路》2013年第6期3-4,共2页; 欧胜微电子有限公司日前宣布：推出产品代码为WM8997的一款高度灵活的高清晰度音频中枢（HDAudioHub），它带有专为高性价比方案而设计的同步SLIMbus和12S接口，用以为智能手机和其它便携设备提供优异的高清音频。; 关键词：高性价比 S接口音频移动应用中枢 HD 高清晰度产品代码

溶胶-凝胶法及热处理制备β-Bi_2O_3薄膜被引量：1: 《材料保护》2013年第S1期62-64,共3页练晓娟杨鑫刘尚军陈金伟王瑞林; 高等学校博士学科点专项科研基金(20110181110003);成都市科技局攻关计划(10GGYB380GX-023;10GGYB828GX-023)资助; 为了提高Bi2O3薄膜的光电特能,采用溶胶-凝胶法在FTO衬底上制备了β-Bi2O3薄膜。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见光吸光度和光电转换效率的测试研究了热处理工艺对薄膜结构和光电特性的影响。结果表明:当退火温度为450℃时,...; 关键词：溶胶-凝胶 β-Bi2O3薄膜热处理光电转换效率(IPCE)

Transfer matrix modeling of avalanche photodiode: 《Frontiers of Optoelectronics》2012年第3期317-321,共5页Saeed OLYAEE Mohammad SOROOSH Mahdieh IZADPANAH; In this article, we calculated and modeled the gain of Ino.53Gao.47As/[nP avalanche photodiode （APD） based on a device mechanism and carrier rate equations using transfer matrix method （TMM）. In fact, a distribute...; 关键词：avalanche photodetector （APD） impact ioni-zation （I2） transfer matrix method （TMM）

新型复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷被引量：3: 《北京科技大学学报》2010年第10期1316-1320,共5页徐东程晓农赵国平徐红星范曰娥施利毅; 上海市教育委员会重点学科建设资助项目(No.J50102);中国博士后科学基金资助项目(No.20100471380);无机合成与制备化学国家重点实验室(吉林大学)开放课题资助项目(No.2011-22);江苏大学本科生创新计划资助项目(No.2010002); 采用固相法制备新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,并对其显微组织和电性能进行了分析.结果表明,复合稀土掺杂可提高压敏陶瓷的综合性能,并明显优于单一稀土掺杂,复合稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律仍遵循单一稀土...; 关键词：压敏电阻氧化锌稀土电性能显微组织

烧结方式对ZnO-Bi_2O_3压敏瓷Bi_2O_3挥发的影响被引量：2: 《中国有色金属学报》2010年第7期1396-1401,共6页徐东程晓农赵国平严学华施利毅; 上海市教育委员会重点学科建设资助项目(J5012);中国博士后科学基金资助项目(20100471380);江苏省普通高校自然科学研究资助项目(10KJB430002); 采用裸烧、盖烧和埋烧等不同的烧结方式制备ZnO-Bi2O3压敏瓷,通过XRD和SEM等方法对压敏瓷的物相和显微组织进行研究,探讨烧结方式对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织的影响。结果表明:烧结方式和烧结温度对压敏瓷的显微组织和电性能产生明...; 关键词：ZnO-Bi2O3压敏瓷氧化锌烧结挥发

铝注入的电力半导体器件产品的优势及其进一步开发: 《电气技术》2006年第7期82-86,共5页S.柯雷 A.米林顿 A.普鲁姆顿尤金霜; Dynex半导体公司用于功率双极半导体器件制造的铝注入技术(“i2”)的问世得到文献的肯定。本文介绍采用这种技术所获得的各种益处,特别讨论满足增加HVDC(高压直流输电)开关功率的需求、改善整流二极管制造能力、提高脉冲电源的极高电压...; 关键词：双注入("i2") 铝注入技术功率双极半导体器件高压直流输电 (HVDC)

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