云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- II-VI族半导体

II-VI族半导体: 作品数：3被引量：1H指数：0; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：王敏乔双双任敬川崔利杰刘超更多>>; 相关机构：中国科学院合肥工业大学苏州大学大连理工大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《物理学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金江苏省自然科学基金澳大利亚研究理事会基金更多>>

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离子注入对ZnTe:O中间带光伏材料的微观结构及光学特性的影响: 《物理学报》2014年第23期267-273,共7页甄康顾然叶建东顾书林任芳芳朱顺明黄时敏汤琨唐东明杨燚张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB302003);国家自然科学基金(批准号:61025020;60990312;61274058;61322403;61271077;11104130;11104134);江苏省自然科学基金(批准号:BK2011437;BK2011556;BK20130013);江苏省高等学校优势学科发展项目;澳大利亚研究基金会创新项目(批准号:DP1096918)资助的课题~~; II-VI和III-V族高失配合金半导体是新型高效中间带太阳电池的优选材料体系,但中间带的形成及其能带调控等关键问题仍未得到有效解决.采用氧离子注入方式,在非平衡条件下对碲化锌(Zn Te)单晶材料实现了等电子掺杂,深入研究了离子注入对Zn...; 关键词：中间带离子注入高失配合金 II-VI族半导体