LDMOST

作品数：13被引量：6H指数：2
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SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应
《电源技术应用》2012年第8期45-47,共3页成建兵 
江苏省自然科学基金资助(No:BK2011753)
SJ-LDMOST是半导体功率集成技术的核心器件之一,但其击穿电压和比导通电阻之间的优化决定于衬底辅助耗尽效应的消除。这里在分析衬底辅助耗尽效应机理的基础上,将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类,并提出通过引入新构造提高...
关键词：SJ—LDMOST 功率集成电路 衬底辅助耗尽效应 击穿电压 
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