M-20

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高磁电阻磁性隧道结的几种微制备方法研究
《物理学报》2005年第8期3831-3838,共8页李飞飞 张谢群 杜关祥 王天兴 曾中明 魏红祥 韩秀峰 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610601);国家杰出青年科学基金(批准号:50325104);国家自然科学基金(批准号:10274103)资助的课题.~~
利用金属掩模法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩模的狭缝宽度为100μm.采用4nm厚的Co75Fe25为铁磁电极和1·0或0·8nm厚的铝氧化物为势垒膜,直接制备出了室温隧穿磁电阻(TMR)为30%—48%的磁性隧道结,其结构为Ta(5nm)/Cu(25...
关键词:磁性隧道结 制备方法 动态随机存储器 隧穿磁电阻 离子束刻蚀 工艺条件 铝氧化物 铁磁电极 狭缝宽度 直接制备 化学反应 光刻技术 M-20 研究结果 工艺方法 传感器件 TMR 掩模法 室温 低电阻 小尺寸 金属 打孔 刻槽 势垒 
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