MHEMT

作品数：20被引量：23H指数：3
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相关作者：张海英徐静波黎明吉宪黄伟更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所桂林电子科技大学南京电子器件研究所成都海威华芯科技有限公司更多>>
相关期刊：《Chinese Physics B》《Science Bulletin》《科学通报》《微纳电子技术》更多>>
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InGaAs纳电子学的进展被引量：1
《微纳电子技术》2016年第4期209-219,226,共12页赵正平 
InGaAs HEMT器件和纳米加工技术的结合推动了InGaAs纳电子学的发展,在太赫兹和后CMOS逻辑电路两大领域产生重要影响。综述了InGaAs纳电子学近10年在两大领域的发展路径和最新进展。在太赫兹领域,InGaAs纳电子学以InGaAs HEMT发展为主,...
关键词：纳电子学 INGAAS INAS InP高电子迁移率晶体管(HEMT) GaAs变构高电子迁移率晶体管(MHEMT) InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 太赫兹 后互补金属氧化物半导体(CMOS) 
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