MIS结构

作品数：49被引量：38H指数：3
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薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性被引量：1
《应用科技》2017年第1期40-44,共5页高梓喻 蒋永吉 李曼 郭宇锋 杨可萌 张珺 
国家自然科学基金项目(61574081);教育部博士点基金项目(20133223110003);江苏省自然科学基金项目(BK20130778);江苏省工业支撑计划项目(BE2013130);国家重点实验室基金项目(KFJJ201403)
随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容...
关键词：硅膜厚度 MIS结构 电容-电压特性 绝缘层固定电荷 
利用金属/绝缘体/半导体(MIS)结构研究IPN的介电常数被引量：1
《应用科技》2001年第5期33-35,共3页刘萍 刘菊英 张大博 
采用自制的制膜工具在n型硅片上制备了互穿聚合物网络 (IPN)绝缘层膜。用真空镀在IPN膜上蒸镀铝圆顶电极形成了Al/IPN/nSi(MIS)结构。在室温条件下测定了电容—电压 (C—V)特性。根据测定的C—V特性曲线计算了IPN膜的介电常数。
关键词：MIS结构 IPN 电容-电压特性 介电常数 互穿聚合物网络 绝缘层膜 硅片 
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