MIS器件

作品数：16被引量：13H指数：2
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HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)被引量：1
《红外》2007年第1期17-20,共4页何波 史衍丽 徐静 
介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTe MIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤．研究表明,自身阳极硫化+单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求．
关键词：HGCDTE MIS器件 表面钝化 界面电学特性 
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(上)被引量：2
《红外》2006年第12期4-9,共6页何波 史衍丽 徐静 
介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤．利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。
关键词：HGCDTE MIS器件 表面钝化 界面电学特性 
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