MOSFET模型

作品数：13被引量：27H指数：3
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一种新的高阶连续的MOSFET模型
《电子学报》1998年第8期114-116,共3页张文良 杨之廉 
MOSFET模型一般使用不同的公式来描述不同的工作区，这使得在各工作区之间的过渡点上，模型的连续性受到限制．本文提出了一种简单有效的方法将各工作区用统一的公式来描述、它保持了原分区描述模型的精度。
关键词：MOS 场效应管 模型 连续性 
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