补偿电流源

作品数：5被引量：14H指数：3
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带温度补偿的6H-SiC PMOS模拟与分析
《固体电子学研究与进展》2007年第1期7-12,共6页韩茹 杨银堂 
教育部重点科技项目(批准号:02074);国家部委预研项目(批准号:41308060105)
提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H-SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源,并计入界面态电荷高斯分布模型及体内Poole-Frenkel效应。模拟结果表明,阈...
关键词：碳化硅 补偿电流源 体漏电流 普尔-弗兰克效应 
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