补偿电流源

作品数：5被引量：14H指数：3
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一种新型的高精度迟滞比较器被引量：6
《微电子学》2020年第6期789-793,共5页潘高 伍滔 周泽坤 张波 
预研项目(41421050401)。
基于0.18μm CMOS工艺,提出了一种补偿电流型高精度迟滞比较器。利用两个工作在线性区的MOS晶体管间的电流差产生一个补偿电流源,将补偿电流源应用于传统内部迟滞比较器中,对迟滞电压中工艺和温度的相关项进行补偿,以获得低温漂的高精...
关键词：迟滞比较器 补偿电流源 
带温度补偿的6H-SiC PMOS模拟与分析
《固体电子学研究与进展》2007年第1期7-12,共6页韩茹 杨银堂 
教育部重点科技项目(批准号:02074);国家部委预研项目(批准号:41308060105)
提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H-SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源,并计入界面态电荷高斯分布模型及体内Poole-Frenkel效应。模拟结果表明,阈...
关键词：碳化硅 补偿电流源 体漏电流 普尔-弗兰克效应 
6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析被引量：3
《西安电子科技大学学报》2007年第1期16-20,共5页韩茹 杨银堂 
教育部重点科技项目(02074);国家部委预研项目(513080302)
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的...
关键词：碳化硅 补偿电流源 冻析效应 普尔-弗兰克效应 体漏电流 
电网畸变波形的时域分析及补偿
《昆明冶金高等专科学校学报》1999年第4期32-34,共3页陈铁牛 
用时域分析的方法将电网的畸变电流分解成与电压波形一致的有功分量和不一致的无功分量.给出了一种采用脉宽调制(PWM)的补偿电流源,补偿其无功分量,消除和抑制,电网波形的畸变.
关键词：畸变波形 谐波 时域分析 脉宽调制 补偿电流源 电网 
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