云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 场效应器件

场效应器件: 作品数：102被引量：62H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王贵华张德清张关心何进刘子桐更多>>; 相关机构：中国科学院西安电子科技大学国际商业机器公司北京大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>

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4H-SiC MESFET的特性研究: 《半导体技术》2002年第8期74-77,共4页徐昌发杨银堂朱磊; 国家自然科学基金(69976023);教育部跨世纪优秀人才基金;国防科技预研基金资助项目; 对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大。300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密...; 关键词：MESFET 碳化硅场效应器件

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