超薄氧化层

作品数：8被引量：1H指数：1
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超薄氧化层的电击穿特性被引量：1
《微电子技术》1999年第1期20-24,共5页于宗光 黄卫 
江苏省青年科技基金!BQ96040
本文在测试分析N+理层—隧道氧化层一多晶硅电容（N+OP电容）、P衬底一隧道氧化层一多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP电容）的I－V特性、I－t特性、V－t特性的基础上，对隧道氧化层的击穿特性进行了理论分析，并...
关键词：隧道氧化层 击穿 可靠性 
超薄氧化层的Q_(BD)成品率的研究
《微电子技术》1997年第5期39-42,共4页徐政 陈菊英 钟萍 张继 
关键词：超薄氧化层 MOS电路 QBD成品率 制造工艺 
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