超深亚微米器件

作品数：4被引量：11H指数：2
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65nm COMS工艺SRAM重离子单粒子翻转机理研究
《中国原子能科学研究院年报》2012年第1期59-59,共1页蔡莉 高丽娟 史淑廷 范辉 刘建成 
正随着半导体工业的飞速发展,器件的特征尺寸及供电电压不断减小,导致器件发生单粒子效应所需的临界电荷越来越少,单粒子效应的危害越来越严重,新工艺对单粒子效应实验提出了新的挑战。为研究新型器件的单粒子效应,本实验开展了重离子...
关键词：单粒子效应 单粒子翻转截面 重离子 特征尺寸 超深亚微米器件 新工艺 临界电荷 实验研究 半导体工业 实验数据 
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