衬底电流

作品数：13被引量：10H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王俊张兴张钢刚何燕冬陆生礼更多>>
相关机构：上海华力微电子有限公司长鑫存储技术有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司北京大学更多>>
相关期刊：《微电子学》《电子科技文摘》《电子技术应用》《中国科技纵横》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第4期757-764,共8页戴明志 刘韶华 程波 李虹 叶景良 王俊 江柳 廖宽仰 
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件...
关键词：衬底电流 双强电场模型 衬底电流公式 热载流子注入 
恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第5期999-1004,共6页王彦刚 许铭真 谭长华 段小蓉 
国家重点基础研究专项经费资助项目(批准号:TG2000 036503)~~
研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而增大.用类渗流模型模拟了软...
关键词：衬底电流 软击穿 超薄栅氧化层 威布尔分布 变频光泵效应 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部