衬底电流

作品数:13被引量:10H指数:2
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低温NMOS器件衬底电流的测试与分析
《电子器件》1989年第4期40-41,12,共3页孟江生 魏同立 郑茳 张佐兰 周东海 
本文测量了低温(77K)下NMOSFET的衬底电流随偏置电压V_(GS)、V_(DS)和V_(BS)的变化曲线以及衬底电流与应力作用时间的关系。并与常温(300K)下进行了比较。测量结果表明:低温(77K)下NMOSFET的衬底电流比常温(300K)下增大了一个数量级。最...
关键词:NMOS器件 测试 衬底 电流 分析 
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