磁存储器

作品数：54被引量：18H指数：2
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相关领域：自动化与计算机技术理学更多>>
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相关机构：TDK株式会社三星电子株式会社株式会社东芝致真存储(北京)科技有限公司更多>>
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专利集锦
《磁性材料及器件》2014年第4期78-80,共3页
本发明提出了一种具有磁畴壁可调控的锰氧化物薄膜的器件，包括锰氧化物核心单元和磁畴壁调控单元；锰氧化物核心单元包括三层结构，分别是从上到下依次设置的导电锰氧化物薄膜，绝缘衬底，金属导电底座；磁畴壁调控单元为磁性导电针尖...
关键词：锰氧化物薄膜 调控方法 专利 磁存储器 磁畴壁 三层结构 绝缘衬底 薄膜表面 
巨磁电阻读出磁头被引量：1
《磁性材料及器件》2001年第1期23-26,共4页颜冲 于军 周文利 王耘波 谢基凡 高俊雄 
国家自然科学基金资助项目! ( 6980 1 0 0 3)
用巨磁电阻 ( GMR)材料构成的磁电子学新器件 ,已开始在计算机存储领域成功地获得了应用。本文介绍了用于计算机硬磁盘驱动器的巨磁电阻磁头 ,描述了它的工作原理。
关键词：巨磁电阻 读出磁头 存储密度 磁存储器 
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