磁拉法

作品数：1被引量：4H指数：1
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大直径CZ硅单晶的控氧技术被引量：4
《半导体技术》1998年第6期46-49,共4页施锦行 
描述了拉晶条件和磁拉法对大直径ＣＺ硅单晶中氧的控制作用，并讨论了近期发展的ＣＣＺ法和ＬＦＣＺ法中与控氧相关的问题。
关键词：大直径 硅单晶 磁拉法 控氧 
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