存取时间

作品数：105被引量：38H指数：4
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CY148101Q1／Q2：非易失性SRAM
《世界电子元器件》2009年第12期40-40,共1页
赛普拉斯半导体推出1Mbit串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）系列，以及新的拥有集成实时时钟（RTC）的4Mbit和8Mbit nvSRAM。 nvSRAM基于其S8 0．13μm SONOS嵌入式非易失性存储器技术，能达到更大的密度并改善存取时间和性能。
关键词：非易失性存储器 NVSRAM 静态随机存取存储器 SONOS 实时时钟 存取时间 半导体 嵌入式 
CY148102／108：2／8Mbit nv SRAM
《世界电子元器件》2008年第9期61-61,共1页
赛普拉斯推出2M吼和8Mbit非易失陛静态随机存取存储器（nvSRAM），进一步丰富了公司旗下从16Kbit到8Mbit的nvSRAM产品系列。该新型产品的存取时间短至20ns，支持无限次的读写与调用循环，数据能保存20年。nvSRAM为需要持续高速写入数据...
关键词：NVSRAM 静态随机存取存储器 存取时间 数据安全 非易失性 RAID 工业控制 数据通信 
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