NVSRAM

作品数:17被引量:20H指数:2
导出分析报告
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>
相关作者:何瑛李永新朱明武朱其祥吴国新更多>>
相关机构:南京理工大学微电子有限公司安徽财贸学院安徽大学更多>>
相关期刊:《仪器仪表学报》《世界电子元器件》《电测与仪表》《电子设计应用》更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
16MbitnvSRAM系列:nvSRAM
《世界电子元器件》2012年第10期31-31,共1页
赛普拉斯半导体公司推出了16Mbit非易失性静态随机访问存储器(nvSRAM)系列,其中包括具备同步NAND闪存接口的器件。该系列是可直接与开放式NAND闪存接口(ONFI)以及ToggleNAND总线控制器相连接的非易失性SRAM存储器。
关键词:NVSRAM AM系列 SRAM存储器 赛普拉斯半导体公司 NAND闪存 非易失性 总线控制器 随机访问 
nvSRAM:存储器
《世界电子元器件》2011年第5期33-33,共1页
赛普拉斯半导体公司推出串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM),该存储器具有I^2C和SPI接口,可用于仪表、工业和汽车应用。新的器件最高工作频率可分别达到104MHz(SPI器件)和3.4MHz(12C器件)。同时,用户还可以选择集成实时...
关键词:静态随机存取存储器 NVSRAM 赛普拉斯半导体公司 SPI接口 非易失性 I^2C 汽车应用 工作频率 
CY148101Q1/Q2:非易失性SRAM
《世界电子元器件》2009年第12期40-40,共1页
赛普拉斯半导体推出1Mbit串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)系列,以及新的拥有集成实时时钟(RTC)的4Mbit和8Mbit nvSRAM。 nvSRAM基于其S8 0.13μm SONOS嵌入式非易失性存储器技术,能达到更大的密度并改善存取时间和性能。
关键词:非易失性存储器 NVSRAM 静态随机存取存储器 SONOS 实时时钟 存取时间 半导体 嵌入式 
赛普拉斯推出混合信号数据记录新器件
《世界电子元器件》2008年第10期72-72,共1页
赛普拉斯半导体公司日前宣布推出一款同时集成非易失性静态随机访问存储器(nvSRAM)与可编程片上系统的器件PSoC NV。该全新的PSoC NV产品系列将赛普拉斯旗舰PSoC架构的高度设计灵活性与nvSRAM的永久耐用性集于一身。PSoC NV器件集成...
关键词:数据记录 新器件 混合信号 赛普拉斯半导体公司 可编程片上系统 PSOC NVSRAM 微控制器 
CY148102/108:2/8Mbit nv SRAM
《世界电子元器件》2008年第9期61-61,共1页
赛普拉斯推出2M吼和8Mbit非易失陛静态随机存取存储器(nvSRAM),进一步丰富了公司旗下从16Kbit到8Mbit的nvSRAM产品系列。该新型产品的存取时间短至20ns,支持无限次的读写与调用循环,数据能保存20年。nvSRAM为需要持续高速写入数据...
关键词:NVSRAM 静态随机存取存储器 存取时间 数据安全 非易失性 RAID 工业控制 数据通信 
存储
《电子产品世界》2008年第9期149-149,共1页
恒忆低功耗DDR接口非易失性RAM;赛普拉斯推出2Mbit和8Mbit
关键词:非易失性RAM 存储 NVSRAM DDR 低功耗 接口 
存储器件
《电子设计应用》2008年第9期124-124,共1页
IDT推出下一代双口RAH;赛普拉斯推出nvSRAM CYI4B102和CY14B108;飞兆半导体推出SD接口电平转换器FXL2SD106;
关键词:存储器件 NVSRAM 电平转换器 飞兆半导体 SD接口 IDT 双口 
集成电路
《今日电子》2008年第9期116-120,共5页
车用高性能SPI总线串行EEPROM,用于汽车车身和底盘控制的16位MCU,兼容U.DMA6的NAND闪存控制器,确保可靠的非易失性数据存储的nvSRAM,小尺寸超低功耗比较器,地面数字电视解调芯片……
关键词:集成电路 串行EEPROM 非易失性数据存储 16位MCU NAND闪存 NVSRAM 地面数字电视 SPI总线 
赛普拉斯宣布推出2Mbit和8Mbit nv SRAM被引量:1
《电子与电脑》2008年第9期60-60,共1页
日前,赛普拉斯半导体宣布推出2Mbit和8Mbit非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM),进一步丰富了公司旗下从16Kbit~8Mbit的nvSRAM产品系列。该新型产品的存取时间短至20ns,支持无限次的读写与调用循环,而且数据能保存20年之久。nvS...
关键词:NVSRAM 静态随机存取存储器 非易失性 存取时间 新型产品 数据安全 RAID 工业控制 
嵌入式系统的高速度大容量非易失随机数据存储被引量:2
《单片机与嵌入式系统应用》2008年第7期15-18,共4页怯肇乾 
介绍现代高速度大容量非易失随机数据存储的性能特点和典型器件;分析对比常见各种高速度大容量非易失随机数据存储器件的关键特性;阐述如何在嵌入式应用体系设计中选择合适的高速度大容量非易失随机数据存储器件。
关键词:E^2PROM SLC/MLC FLASH BBSRAM NVSRAM FRAM MRAM 非易失存储 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部