存取时间

作品数：105被引量：38H指数：4
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一款SRAM芯片的设计与测试被引量：4
《微电子学》2014年第4期495-498,502,共5页刘文斌 汪金辉 袁颖 杨洪艳 侯立刚 
国家自然科学基金资助项目(61204040;60976028);北京市自然科学基金资助项目(4123092);教育部博士点基金资助项目(20121103120018)
基于Chartered 0.35μm EEPROM CMOS工艺,采用全定制方法设计了一款应用于低功耗和低成本电子设备的8×8 bit SRAM芯片。测试结果表明,在电源电压为3.3 V,时钟频率为20MHz的条件下,芯片功能正确、性能稳定、达到设计要求,存取时间约为6....
关键词：SRAM 灵敏放大器 译码器 芯片测试 存取时间 
大容量MOS存储器
《微电子学》1973年第4期42-48,共7页王可 
大容量半导体存储器的演变现代电子计算机采用“存储程序”,所使用的记忆元件的数目十分膨大。只要回顾一下在电子计算机中采用半导体存储器的情况,就可以明了大容量半导体存储器的演变过程。在电子计算机市场上占世界的70％而且最早正...
关键词：存储器单元 大容量 存储单元 电平 存取时间 毫微秒 位线 计算机 仪表组合单元 MOS 
开关集电极阻抗存储器
《微电子学》1972年第2期66-73,共8页志全 
引言大容量、高速LSI存储系统的总功耗要达几千瓦或更多些。另外考虑到热阻,要把较多的存储单元集成于一个LSI中以便获得低成本和高可靠性的话,则每位的功耗都要很小。就是对高速双极存储单元来说,这两个因素都使它的功耗应在0.5毫瓦左...
关键词：存储器单元 SCI 功耗 集电极 集电装置 仪表组合单元 存储单元 存取时间 电极阻抗 
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