廖秀尉

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：电子科技大学更多>>
发文主题：脉冲激光沉积GAN基半导体C轴取向BIFEO3脉冲激光沉积法更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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GaN基半导体上BiFeO_3薄膜的生长与性能研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2010年第5期488-491,共4页罗文博 朱俊 廖秀尉 
国家重点基础研究发展计划"973"项目;国家自然科学基金项目(50772019)
采用脉冲激光沉积法在(0001)取向的GaN以及AlGaN/GaN调制掺杂结构上制备了(111)取向的BiFeO3(BFO)薄膜。首先在导电氧化物SrRuO3和TiO2缓冲层包覆的GaN上制备了BFO薄膜,分析了在GaN上生长的BFO薄膜的面外取向、外延关系、表面形貌以及...
关键词：BIFEO3 脉冲激光沉积 X射线衍射 压电力显微镜 
脉冲激光沉积法在GaN基片上制备c轴取向LiNbO_3薄膜被引量：1
《真空科学与技术学报》2010年第5期496-499,共4页廖秀尉 朱俊 罗文博 郝兰众 
国家重点基础研究发展计划"973"(61363);国家自然科学基金资助项目(50772019)
采用LiNbO3单晶靶材，以激光脉冲沉积方法在六方GaN（0001）基片上沉积制备c轴取向的LiNb03薄膜。利用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（ARM）研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成、外延关系、表面...
关键词：LiNbO3薄膜 C轴取向 脉冲激光沉积 XRD 
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