纪红

作品数:1被引量:7H指数:1
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供职机构:天津理工大学更多>>
发文主题:ALN薄膜SI溅射制备射频磁控反应溅射磁控溅射更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《光电子.激光》更多>>
所获基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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Si(111)和Si(100)衬底上磁控反应溅射制备AlN薄膜被引量:7
《光电子.激光》2010年第10期1524-1527,共4页纪红 杨保和 李翠平 
国家自然科学基金资助项目(50972105);天津市自然基金重点资助项目(09JCZDJC16500)
采用射频磁控反应溅射法在Si(111)和Si(100)两种衬底上制备了AlN薄膜,用X射线衍射(XRD)对AlN薄膜进行了表征,研究了衬底Si(111)、Si(100)取向以及N2百分比对AlN(002)薄膜c-轴择优取向的影响。实验结果表明,Si(100)较适合生长c-轴择优取...
关键词:ALN薄膜 射频磁控反应溅射 择优取向 晶格失配度 
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