射频磁控反应溅射

作品数:43被引量:125H指数:5
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相关机构:中国科学院西北工业大学华侨大学合肥工业大学更多>>
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晶态WO_3电致变色薄膜和器件的制备及性能研究被引量:2
《合肥工业大学学报(自然科学版)》2014年第5期534-537,共4页张学科 李合琴 周矗 颜毓雷 王伟 乔恺 
国家"973"计划资助项目(2008CB717802);安徽省自然科学基金资助项目(090414182);安徽省高等学校自然科学研究基金资助项目(KJ2009A091;KJ2012A228)
文章用射频磁控反应溅射法,以钨靶为溅射靶材,在玻璃和ITO衬底上分别制备了WO3薄膜,氧气和氩气的流量比值为5∶25,工作气压为1.5Pa,所有样品均进行了400℃保温1h的退火。通过改变溅射功率,研究了功率对WO3薄膜的相组成、表面形貌、可见...
关键词:晶态WO3薄膜 射频磁控反应溅射 透过率 电致变色 
Tm掺杂AlN薄膜结构及其光致发光特性研究
《嘉兴学院学报》2013年第3期65-68,共4页张勇 马玉彬 
利用射频磁控反应溅射方法,以Al-Tm合金为靶材,Si(100)为衬底,制备了铕(Tm)掺杂的氮化铝(AlN)薄膜.利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了退火温度对样品结晶形态和表面粗糙度的影响.XRD测试结果表明,经高温退火处理后的样品...
关键词:Tm掺杂AlN 射频磁控反应溅射 光致发光光谱 
氧气通量对反应溅射法制备HfO2薄膜生长过程的影响被引量:1
《凝聚态物理学进展》2013年第1期12-16,共5页杨宇桐 唐武 
国家自然科学基金资助(No. 51071038);教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-09-0265);四川省杰出青年科技基金支持项目(2010JQ0002)。
利用金属Hf与氧气反应溅射制备了HfO2薄膜,采用X射线光电子能谱分析(XPS)、原子力显微镜(AFM)等手段对薄膜的组成成分以及表面形貌进行了分析表征,并从薄膜生长机理角度研究了氧气的通量对于HfO2成膜过程的影响,得到了氧气通量的增大能...
关键词:HFO2薄膜 射频磁控反应溅射 XPS AFM 
射频磁控反应溅射制备的Ag_2O薄膜的椭圆偏振光谱研究
《物理学报》2012年第5期361-365,共5页马姣民 梁艳 郜小勇 陈超 赵孟珂 卢景霄 
国家自然科学基金(批准号:60807001);河南省高等学校青年骨干教师资助计划;国家重点基础研究发展计划(批准号:201 1CB201605);河南省教育厅自然科学资助研究计划(批准号:2010A140017)资助的课题~~
Ag_2O薄膜在新型超高存储密度光盘和磁光盘方面具有潜在的应用前景.利用射频磁控反应溅射技术,通过调节衬底温度在沉积气压为0.2 Pa、氧氩比为2:3的条件下制备了一系列Ag_2O薄膜.利用通用振子模型(包括1个Tauc-Lorentz振子和2个Lorentz...
关键词:Ag_2O薄膜 椭圆偏振 射频磁控反应溅射 光学性质 
金刚石自支撑膜衬底制备AlN薄膜的性能被引量:2
《材料热处理学报》2011年第8期1-5,共5页张营营 李成明 陈良贤 刘金龙 黑立富 吕反修 
国家"863"计划支持项目(2008AA03Z408)
采用射频磁控反应溅射法在金刚石自支撑膜衬底上沉积了AlN薄膜,XRD结果表明得到了(002)面择优取向的AlN薄膜;AFM的表面形貌结果显示薄膜表面平整,晶粒均匀,表面粗糙度为2.97 nm。XPS分析结果表明,离子剥蚀2.1 nm后Al/N原子百分比接近于1...
关键词:射频磁控反应溅射 金刚石自支撑膜 ALN 增透性 
溅射功率对射频磁控反应溅射制备的Ag_2O薄膜微结构的影响被引量:2
《真空科学与技术学报》2011年第3期283-286,共4页马姣民 梁艳 郜小勇 
国家自然科学基金(No.60807001);河南省教育厅自然科学资助研究计划项目(No.2010A140017)
利用射频磁控溅射技术,通过调节溅射功率(P)在200℃、氧氩比为2∶3条件下在玻璃衬底上制备了一系列氧化银(Ag2O)薄膜。利用X射线衍射谱和扫描电子显微镜重点研究了P对Ag2O薄膜微结构的影响。研究结果表明Ag2O薄膜具有(111)择优取向,这...
关键词:Ag2O薄膜 射频磁控溅射 X射线衍射 微结构 
CVD金刚石衬底上抗氧化、增透膜的制备与性能被引量:4
《硅酸盐学报》2010年第10期1891-1895,共5页闫锋 刘正堂 巨志高 
航空科学基金(04G53043)资助项目
采用射频磁控反应溅射法在化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)的金刚石衬底上制备了AlN薄膜以及AlN/Si和AlN/Ge膜。通过X射线衍射分析了衬底加热温度对薄膜微结构的影响和薄膜高温下的氧化行为。结果表明:在衬底加热温度低于...
关键词:射频磁控反应溅射 氮化铝薄膜 抗氧化 增透 高温热暴露 
Si(111)和Si(100)衬底上磁控反应溅射制备AlN薄膜被引量:7
《光电子.激光》2010年第10期1524-1527,共4页纪红 杨保和 李翠平 
国家自然科学基金资助项目(50972105);天津市自然基金重点资助项目(09JCZDJC16500)
采用射频磁控反应溅射法在Si(111)和Si(100)两种衬底上制备了AlN薄膜,用X射线衍射(XRD)对AlN薄膜进行了表征,研究了衬底Si(111)、Si(100)取向以及N2百分比对AlN(002)薄膜c-轴择优取向的影响。实验结果表明,Si(100)较适合生长c-轴择优取...
关键词:ALN薄膜 射频磁控反应溅射 择优取向 晶格失配度 
SiO_x∶Er薄膜材料光致发光特性的研究
《半导体技术》2010年第9期877-880,938,共5页沈海波 郭亨群 徐骏 陈坤基 王启明 
国家重点基础研究发展“973”计划(2007CB613401);集成光电子国家重点联合实验室开放课题(20080301)
采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx∶Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er3+在1 530,1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er3+的发光。研究了...
关键词:射频磁控反应溅射 SiOx∶Er薄膜 光致发光 
射频磁控反应溅射制备TiO_2薄膜被引量:1
《苏州大学学报(自然科学版)》2010年第2期51-55,共5页陈浩 李金泽 厉以宇 苏晓东 
温州市工业科技研究开发项目(G20070082);江苏省高校自然科学基金(08KJB140007)
研究采用射频磁控溅射的方法在石英玻璃基片上制备TiO2薄膜的最佳工艺条件.薄膜的相组成和微观组织分别采用XRD、SEM和AFM来分析.实验表明:在450℃的基片温度下,使用0.8 Pa的工作气压和20∶2的Ar∶O2流量比可以获得单一锐钛矿相的TiO2薄...
关键词:TIO2薄膜 射频磁控溅射 光催化 
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