郑胜男

作品数：9被引量：3H指数：1
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发文主题：正电子湮没BCC硅扰动角关联超导体更多>>
发文领域：理学一般工业技术电子电信核科学技术更多>>
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金属氢化物的正电子湮没研究
《核技术》1998年第4期221-223,共3页罗起 勾振辉 陈烽 郑胜男 范志国 陈庆望 李济民 李安利 朱升云 
国家自然科学基金
采用正电子湮没方法在７７－３００Ｋ温区和ｘ为０－０．８６氢浓度范围研究了Ｐｄ０．７５Ａｇ０．２５Ｈｘ和ＮｂＨｘ两种金属氢化物。叙述了获得的实验结果。
关键词：金属氢化物 NbHx 正电子湮没 PdAgH 储氢合金 
裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究被引量：1
《核技术》1998年第2期102-104,共3页李安利 罗起 范志国 郑胜男 勾振辉 王春瑞 钱嘉裕 朱升云 
采用正电子湮没寿命测量方法研究了注量为６５×１０１５／ｃｍ２和１．４×１０１４／ｃｍ２、Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变快中子辐照在掺Ｓｉ、Ｎ型单晶ＧａＡｓ中产生的缺陷。此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺陷。缺陷浓度正比于辐...
关键词：裂变 快中子辐照 缺陷 正电子湮没 砷化镓 
时间微分扰动角关联技术在材料科学中的应用被引量：1
《核技术》1998年第2期125-128,共4页朱升云 左涛 李安利 郑胜男 李东宏 黄汉臣 董明理 慎伟奇 勾振辉 陈峰 范志国 罗起 
介绍了时间微分扰动角关联方法的基本原理及其在材料微观性质研究中的应用
关键词：时间微分 扰动角关系 材料科学 微观性质 
Y_（1－x）Pr_xBa_2Cu_3O_（7－δ）超导体正常态异常的正电子湮没被引量：1
《低温物理学报》1995年第1期48-51,共4页勾振辉 陈烽 郑胜男 朱升云 赵忠贤 
在７７—３００Ｋ温度范围内用正电子湮没方法测量了Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０．２，０．１，０．０）三个超导样品中正电子湮没寿命随温度的变化，细致地研究了正常志异常现象．Ｘ为０．０和０．１的二个样品分别在...
关键词：超导体 正常态异常 正电子湮没 YPBCO 
高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究
《核技术》1994年第10期613-615,共3页朱升云 李安利 黄汉臣 李东宏 郑胜男 勾振辉 
采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Ｓ...
关键词：硅 辐射效应 正电子湮灭 退火 
中子辐照硅的正电子湮没研究
《核技术》1993年第10期588-590,共3页李安利 岩田忠夫 李东宏 郑胜男 黄汉臣 朱升云 
采用正电子湮没方法研究了1.45×10^(20)n/cm^2和3.10×10^(17)n/cm^2快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在343—1073K温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧-空位对和在高中子剂量辐照的Si中发现...
关键词：正电子湮没 寿命 硅 辐射效应 
BCC金属Nb的重离子辐射损伤研究
《原子能科学技术》1992年第3期42-46,共5页朱升云 郑胜男 李安利 黄汉臣 李东洪 许国基 
采用81 MeV碳离子辐照,模拟中子注量为10^(23)/cm^2的堆中子在Nb中产生的辐射损伤,用时间微分扰动角关联和正电子湮没二种方法研究辐射损伤及其高温退火效应。实验发现经注量2.5×10^(16)/cm^2的碳离子辐照后,在BCC金属Nb中产生单空位...
关键词：辐射损伤 BCC 铌 重离子 堆材料 
2MeV ~4He^+背散射测定固体薄膜厚度的研究
《核技术》1991年第6期326-332,共7页赵玉华 许国基 郑胜男 徐永昌 
本文从实验上研究了用2MeV ~4He^+背散射对从几十nm到几个μm范围内的各种固体薄膜的厚度进行精确测量的方法。并对各种测量方法和测量结果进行了详细的讨论。
关键词：固体 薄膜 厚度 测量 背散射 
BaF_2闪烁探测器在扰动角关联和角分布研究中的应用
《核技术》1990年第12期752-755,共4页朱升云 李安利 郑胜男 黄汉臣 李东宏 杜鸿善 丁洪林 
本文介绍了BaF_2探测器在高分辨时间微分扰动角关联和角分布研究中的应用。可以采用核态寿命为几个ns的探针核,并能精确地测定很高的超精细相互作用频率。利用中间态半寿命为3.4ns的^(99)Tc探针核对YBaCuO,超导体的研究显示了BaF_2探测...
关键词：BaF2探测器 扰动 角关联 角分布 
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