刘悦

作品数：2被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：电子工业部更多>>
发文主题：HICC波段PIN高隔离度调制器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
金刚石表面离子束金属化研究
《半导体情报》1998年第5期44-47,共4页李国卿 张家良 牟宗信 郭宝海 黄宁表 李述汤 何浩培 刘悦 刘会民 花吉珍 陈季文 
采用离子束增强沉积技术对金刚石热沉材料表面金属化进行了研究，制备了Ｔｉ／Ｎｉ／ＡｕＩｎ和Ｃｕ／ＡｕＩｎ金属化体系。采用俄歇、ＥＤＳ、ＸＲＤ和ＳＣＲＡＴＣＨ方法对膜层和界面进行了分析。
关键词：金刚石 表面金属化 离子束增强沉积 
C波段高隔离度调制器的研究
《半导体情报》1997年第3期35-37,共3页安振峰 刘悦 
介绍了一种采用混合集成电路工艺制作的隔离度大于１００ｄＢ的高隔离Ｃ波段ＰＩＮ调制器，讨论了隔离度与ＰＩＮ管级数及腔体结构的关系，提出了提高通断比的关键途径。其主要技术指标为：ｆ＝５．４～５．８ＧＨｚ，插损＜３．０ｄＢ...
关键词：调制器 高隔离度 PIN HIC 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部