李志国

作品数:1被引量:2H指数:1
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供职机构:中国航天北京微电子技术研究所更多>>
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深亚微米工艺ESD电路设计参数研究被引量:2
《微电子学与计算机》2009年第11期90-94,共5页李志国 岳素格 孙永姝 
通过器件级仿真来评估ESD保护器件的鲁棒性的方法,对ESD电路的关键设计参数进行了研究.通过器件仿真软件MEDICI对栅极到源极接触孔的距离,栅极到漏极接触孔的距离以及栅极的宽度和长度对ESD性能的影响进行了研究,并分析了它们的失效机理...
关键词:ESD NMOS 击穿 仿真 
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