杨世明

作品数：5被引量：15H指数：3
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BESⅢ晶体量能器累积剂量检测系统电子学设计
《核电子学与探测技术》2007年第6期1030-1034,共5页宫辉 李金 邵贝贝 龚光华 杨世明 
为了在线测量北京谱仪BESⅢ中的量能器所受到的辐射累积剂量,设计了BESⅢ量能器累积剂量检测系统。讨论了几种RADFET受照电路的优缺点,介绍了RADFET读出电路,并详细叙述了系统电子学的设计及其性能。
关键词：BESⅢ RADEFT剂量计 开端电压 恒流源 MCF5282 
PIN半导体剂量率探测器的研究被引量：3
《核电子学与探测技术》2007年第2期310-312,218,共4页杨世明 李金 宫辉 邵贝贝 
利用大面积PIN硅光电二极管作为探测器,对北京正负电子对撞机BEPCI在同步辐射运行、束流注入、束流切断等情况下对撞区的辐射水平进行测量,并分析辐射本底的强度、来源及特点;研究PIN半导体探测器在BEPCI对撞区的工作状况,为第三代北京...
关键词：剂量率 束流管 PIN硅光电二级管 暗电流 
400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究被引量：1
《高能物理与核物理》2007年第3期283-287,共5页宫辉 李金 杨世明 邵贝贝 龚光华 李裕熊 谢小希 
RADFET多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量．探测器的技术关键是对400nm IMPL RADFET剂量计具体性能的了解和掌握．本工作以60Coγ源为辐射源,实验研究了400nm IMPL RADFET剂量计的各项性能,包括RADFET通道...
关键词：BESⅢ RADFET剂量计 累积剂量测量 辐照强度相关性 退火 
PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究被引量：6
《核技术》2006年第8期573-576,共4页杨世明 龚光华 邵贝贝 李金 
在X、γ射线的剂量或剂量率测量场合,常用到PIN硅光电二极管。比起传统的电离室等,它有体积小、灵敏度高、成本低、不需要高压等优点;与计数管、闪烁探测器相比,其电流输出的特性可以避免脉冲场下的死时间问题。但大剂量照射造成的辐射...
关键词：PIN硅光电二极管 累积剂量 暗电流 辐射损伤 剂量率 
BESIII剂量率在线检测和保护系统读出电子学设计被引量：7
《核电子学与探测技术》2006年第4期434-437,共4页杨世明 龚光华 邵贝贝 李金 
为保护束流管,BESIII将使用PIN硅光电二极管来实时检测对撞点附近的剂量率水平,其中的信号读出电子学采用电流A/D转换方案。对几种弱电流放大与测量方法进行了比较,主要介绍了电流A/D方法的工作原理、软硬件实现以及实际性能。
关键词：A/D转换 积分放大器 DDC112 PIN硅光电二级管 
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