林雪娇

作品数：3被引量：5H指数：2
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供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文主题：半导体材料光致发光谱4H-SICSIC光电子学更多>>
发文领域：理学电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《量子电子学报》《发光学报》《光散射学报》更多>>
所获基金：厦门市科技计划项目福建省自然科学基金更多>>
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不同退火温度下金属/4H—SiC Schottky势垒高度的研究被引量：2
《量子电子学报》2005年第2期251-255,共5页杨克勤 陈厦平 杨伟锋 孔令民 蔡加法 林雪娇 吴正云 
福建省厦门市科技项目(3502Z20031076)
采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky 接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响。通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子。在反...
关键词：光电子学 4H-SIC Schottky势垒高度 退火 
InGaAsN量子阱的光致发光谱研究(英文)被引量：2
《光散射学报》2004年第1期70-75,共6页林雪娇 蔡加法 吴正云 
我们测量了低N组分的InGaAsN/InGaAs/GaAs量子阱材料的光致发光(PL)谱,测量温度范围从13K到300K。实验结果显示,InGaAsN的PL谱的主峰值的能量位置随温度的变化呈现出反常的S型温度依赖关系。用Varshni经验公式对实验数据进行拟合之后,...
关键词：半导体材料 铟镓砷氮 光致发光谱 量子阱 数据拟合 载流子局域态 
InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究被引量：1
《发光学报》2002年第6期549-553,共5页孔令民 蔡加法 林雪娇 杨克勤 吴正云 沈文忠 
福建省自然科学基金重点资助项目(A992001)
分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,...
关键词：InGaAs/GaAs应变量子阱 光谱研究 时间分辨谱 光致发光谱 光伏谱 半导体材料 砷化镓 砷镓铟化合物 形态势模型 
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