陈敬

作品数：5被引量：12H指数：3
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供职机构：天津大学更多>>
发文主题：中子辐照掺氮光学性质电学性能SIC单晶更多>>
发文领域：理学一般工业技术金属学及工艺水利工程更多>>
发文期刊：《硅酸盐学报》《硅酸盐通报》《人工晶体学报》更多>>
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中子辐照6H-SiC晶体的光学性质及缺陷分析被引量：1
《硅酸盐学报》2014年第3期349-356,共8页侯贝贝 阮永丰 李连钢 王鹏飞 黄丽 陈敬 
利用透射电子显微镜、紫外--可见--近红外光谱和Raman光谱,对剂量为1.67×1020 n/cm2中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及其聚...
关键词：中子辐照 掺氮碳化硅晶体 光学性质 类铍原子模型 
中子辐照掺氮6H-SiC晶体的电学性能及退火的影响被引量：3
《硅酸盐学报》2013年第6期812-819,共8页陈敬 阮永丰 李连刚 祝威 王鹏飞 侯贝贝 王帅 
在60～80℃用剂量为1.67×1020n/cm2的全能谱中子对掺氮6H-SiC晶体进行了辐照,对辐照样品从室温至1600℃进行了等时退火,研究了辐照和退火对样品电学性能的影响。大剂量中子辐照在晶体内产生了大量缺陷和损伤,并引起样品的电学性能发生...
关键词：掺氮碳化硅晶体 中子辐照 退火 电阻率 介电性能 
中子辐照半绝缘SiC单晶的光学性质被引量：6
《硅酸盐学报》2013年第3期353-358,共6页王鹏飞 阮永丰 侯贝贝 陈敬 
利用荧光光谱、紫外-可见-近红外透射光谱和Raman光谱对经1.67×1020n/cm2中子辐照的半绝缘SiC的光学性质进行了研究。结果表明:中子未辐照的和辐照后退火温度低于1000℃的样品未出现任何发射峰;1200℃退火的样品在510、540和575nm处出...
关键词：碳化硅 中子辐照 光学性质 
中子辐照α-Al_2O_3单晶的光学性质研究
《人工晶体学报》2012年第4期834-839,共6页祝威 黄丽 陈敬 侯贝贝 王鹏飞 阮永丰 
本文利用吸收光谱法、光致发光光谱法和拉曼光谱法对中子辐照的α-Al2O3进行研究。吸收光谱表明,中子辐照除产生F2、F2+、F22+和F3色心外,还能产生[Al-O]3-色心,它对应着325 nm和638 nm两个吸收峰,且具有较低的热稳定性,经300℃退火后...
关键词：AL2O3 中子辐照 色心 光学性质 
高剂量中子辐照6H-SiC晶体的退火特性被引量：5
《硅酸盐通报》2012年第2期386-390,共5页祝威 阮永丰 陈敬 马鹏飞 王鹏飞 黄丽 
在温度为60～80℃的条件下用剂量为1.72×1019 n/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照,利用X射线衍射等方法观测了中子辐照引起的缺陷及其恢复。重点追踪6H-SiC的(006)、(0012)晶面的衍射峰并进行实验观测。中子辐照对晶体造成了严重的损伤...
关键词：6H-SIC 中子辐照 缺陷 X射线衍射 
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