魏琴琴

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管式电炉合成氮化镓晶粒的研究
《微纳电子技术》2003年第11期27-29,共3页黄萍 薛成山 李秀琴 魏琴琴 
以Ga2O3为Ga源,氨气(NH3)为N源,通过氮化反应合成了高质量的GaN晶粒。用XRD,FTIR和TEM对生成产物的组分、结构进行了研究。结果表明,用管式电炉合成的GaN为多晶体,属六方晶系。
关键词:管式电炉 氮化镓晶粒 合成工艺 GAN 半导体 
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