宿刚

作品数:2被引量:13H指数:1
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供职机构:浙江海洋学院数理与信息学院更多>>
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InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究被引量:1
《半导体光电》2008年第6期909-912,共4页孔令民 李鼎 张野芳 宿刚 薛江蓉 姚建明 吴正云 
浙江省舟山市科技项目(06110);浙江海洋学院科研项目(X06LY01);浙江海洋学院中青年教师资助项目(11064100107)
采用低压金属有机化学沉积方法制备了InGaN/GaN多量子阱。变温PL测量发现,量子阱发光强度具有良好的温度稳定性,随着温度升高(10~300K),发光强度只减小到1/3左右。分析认为,InGaN/GaN多量子阱的多峰发光结构是由多量子阱的组分及阱宽...
关键词:INGAN/GAN多量子阱 光致发光 时间分辨谱 
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