许娜颖

作品数:1被引量:5H指数:1
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供职机构:河北工业大学信息工程学院更多>>
发文主题:ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管SCHRODINGER方程压电电流崩塌电流更多>>
发文领域:理学自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊:《物理学报》更多>>
所获基金:天津市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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用逆压电极化模型对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究被引量:5
《物理学报》2008年第4期2450-2455,共6页李若凡 杨瑞霞 武一宾 张志国 许娜颖 马永强 
国家重点基础研究发展规划(批准号:51327030402);天津市自然科学基金(批准号:07JCZDJC06100)资助的课题~~
通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算...
关键词:ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 Poisson-Schrodinger方程 逆压电极化模型 电流崩塌 
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