谢莲革

作品数：2被引量：13H指数：2
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：SNOCVD法CVD掺杂量化学气相沉积更多>>
发文领域：一般工业技术更多>>
发文期刊：《功能材料》《浙江大学学报（工学版）》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>
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CVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究被引量：7
《浙江大学学报（工学版）》2005年第11期1824-1828,共5页谢莲革 沃银花 汪建勋 沈鸽 翁文剑 刘起英 韩高荣 
国家"863"高技术研究发展计划资助项目(2001AA320202)
采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温...
关键词：化学气相沉积(CVD) Sb掺杂SnO2薄膜 掺杂量 
基板温度对SnO_2:Sb薄膜结构和性能的影响被引量：7
《功能材料》2005年第3期411-413,418,共4页谢莲革 汪建勋 沈鸽 翁文剑 杜丕一 韩高荣 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2001AA320202)
以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性...
关键词：APCVD法 Sb掺杂SnO2薄膜 基板温度 
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