谷力

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：西安理工大学理学院应用物理系更多>>
发文主题：本征缺陷光致发光谱纳米线英文液固更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《光子学报》《纳米科技》更多>>
所获基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
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硅衬底上有序氮化铝纳米线阵列的生长
《纳米科技》2009年第1期23-25,71,共4页吕惠民 谷力 
陕西省教育厅科学研究计划项目（06JK2141,西安理工大学科研基金）108-210702）
在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳...
关键词：六方单晶氮化铝 纳米线阵列 气液固机制 
六方氮化铝纳米线本征缺陷和氧杂质的光致发光谱研究(英文)被引量：2
《光子学报》2008年第8期1599-1602,共4页吕惠民 陈光德 耶红刚 颜国君 谷力 郭金仓 孙帅涛 
the National Natural Science Foundation of China(10474078)
利用AlCl3和NaN3直接反应合成出六方结构氮化铝纳米线.变温光致发光谱显示,在可见光范围内有两个半高宽大约为5nm的尖锐辐射峰,中心波长分别位于413nm和422nm处.同时,在近紫外区还有一个较宽的辐射带,随着温度升高,该辐射峰发生了明显...
关键词：AlN纳米线 光致发光谱 本征缺陷 氧杂质 
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