冯国光

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ZnSe/GaAs赝共格外延层中二聚体诱发的位错
《电子显微学报》1996年第2期191-199,共9页冯国光 王宁 苏荫强 
在ZnSe/GaAs外延层中观察到完全的和不完全的层错四面棱锥体,层错梯形和层错管。本文提出一个模型:虽然这些层错的几何形状不同,但它们都起始于同一个源-界面处Se二聚体链构成的矩形环。此模型可以解释所有这些层错的组态。本文还指出...
关键词：二聚体 层错 梯杆位错 外延层 外延生长 半导体 
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