凌绪玉

作品数：4被引量：6H指数：1
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供职机构：西南民族大学电气信息工程学院更多>>
发文主题：成像技术信息处理3DTVPECVD法制备氮化硅薄膜更多>>
发文领域：理学自然科学总论金属学及工艺更多>>
发文期刊：《西南民族大学学报（自然科学版）》《高压物理学报》更多>>
所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
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孔隙率对铌硅粉末混合物冲击反应的影响
《高压物理学报》2020年第3期88-94,共7页凌绪玉 刘福生 汪贻高 
国家自然科学基金(11574254)。
借助二级轻气炮加载平台和飞片撞击技术,在高冲击速度下实现不同初始孔隙率铌硅粉末混合物的冲击回收。对回收产物进行表征分析并探讨高冲击速度下孔隙率对铌硅粉末冲击化学反应的影响,实验结果表明:低孔隙率(10%)铌硅粉末混合物几乎不...
关键词：铌硅粉末混合物 高冲击速度 冲击回收 孔隙率 冲击反应 
等离子氮化处理改善铁的耐腐蚀性能研究
《西南民族大学学报（自然科学版）》2017年第3期321-325,共5页凌绪玉 王芳宁 
中央高校基本科研业务费专项基金(2015NYB04)
通过电化学测试方法对等离子氮化处理前后铁的耐腐蚀性进行研究.采用扫描电子显微镜(SEM)对极化试验后样品表面的腐蚀形貌进行观察.结果表明,等离子氮化处理后的样品的蚀孔数量少,其腐蚀程度明显优于未经处理的样品.应用X射线衍射(XRD)...
关键词：铁 等离子氮化处理 耐腐蚀性能 
PECVD法制备氮化硅薄膜的电学性能研究被引量：1
《西南民族大学学报（自然科学版）》2013年第4期582-585,共4页凌绪玉 
以硅烷和氨气为前驱体,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备了氮化硅(SiNx)薄膜.利用X射线光电子能谱和红外光谱,研究了在不同的硅烷/氨气流量比条件下,合成的氮化硅薄膜的组分和结构.结果表明:随着硅烷氨气流量比的增加,薄膜的氮...
关键词：等离子增强化学气相沉积 氮化硅薄膜 电子材料 电学性能 
集成成像技术的发展与应用被引量：5
《西南民族大学学报（自然科学版）》2011年第S1期150-153,共4页王芳宁 闫安英 凌绪玉 
集成成像技术是利用微透镜阵列来记录和再现物空间三维信息的一种真3D立体显示技术.因其具有无需助视设备、无视疲劳、无苛刻环境要求等诸多优点,集成成像技术具有非常广泛和诱人的应用前景.本文将介绍集成成像技术的发展及其在3DTV立...
关键词：集成成像 3D立体显示 3DTV 信息处理 
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