方辉

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供职机构:厦门大学物理与机电工程学院更多>>
发文主题:氧化铟锡薄膜氧化铟锡压电电阻红外互连更多>>
发文领域:理学一般工业技术更多>>
发文期刊:《厦门大学学报(自然科学版)》更多>>
所获基金:教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
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氧化铟锡薄膜电阻温度曲线中的滞后现象
《厦门大学学报(自然科学版)》2009年第5期648-650,共3页李文杰 方辉 
教育部留学回国基金(0030K13016)资助
用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜,并在500℃下氮气氛围中退火1h.将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图,并记录连续4轮由室温升至400℃,接着降至室温过程中样品的电阻变化.测量数据显示,电阻温度曲线在温度上升和...
关键词:氧化铟锡 电阻温度系数 压电电阻 滞后现象 透明导电氧化物 
红外微腔探测器中金属支撑柱的制备工艺研究
《厦门大学学报(自然科学版)》2008年第2期169-171,共3页何熙 陈松岩 方辉 罗仲梓 谷丹丹 
国家自然科学基金(60576001,50672079,60676027)资助
基于一般正胶光刻工艺的剥离工艺,所需胶膜的厚度要大大超过剥离薄膜的厚度.这样在剥离线宽小、厚度大的微腔结构探测器的金属互连柱图形时就会存在光刻分辨率低、剥离难的问题.本文重点研究了基于AZ5214E光刻胶图像反转性能的剥离工...
关键词:微互连柱 AZ5214E 反转 剥离 
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