焦升贤

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He^+、N^+注入GaN的背散射和电学特性研究
《原子能科学技术》2003年第1期28-30,共3页周生强 姚淑德 焦升贤 孙长春 孙昌 
采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的物理性质和结晶品质。研究了He+、N+注入所引起的GaN的电阻变化和与退火温度的关系。在不同温度下,氮气保护退火30min,用Hall法测量电阻率。测量结果表明:GaN的电阻率增大7～8个数量级。...
关键词：GAN 背散射 电学特性 离子注入 电阻率 辐照损伤 半导体 改性 氦离子 氮离子 
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