黄庆捷

作品数：2被引量：3H指数：1
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发文领域：理学医药卫生电子电信一般工业技术更多>>
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近化学计量比铌酸锂晶体组分测定与缺陷观察被引量：3
《人工晶体学报》2006年第4期677-681,共5页黄庆捷 王继扬 
国家"863"计划项目资助(No.2002AA31110)
采用助熔剂提拉法生长得到近化学计量比L iNbO3晶体。用多种方法测定了晶体组分,结果表明生长得到的晶体中[L i2O]含量为49.80%摩尔分数;对晶体缺陷的研究表明晶体质量有待提高,并分析了晶体中出现包裹物的原因。
关键词：LINBO3 近化学计量比 缺陷 组分测定 化学腐蚀 
LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布
《功能材料》2003年第2期184-186,共3页黄庆捷 孔海宽 李军 高磊 葛文伟 张怀金 胡小波 江怀东 王继扬 
国家基础研究发展规划基金资助项目(G1998061403)
采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验。实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同。根据腐蚀坑可以判定,其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向。关于腐蚀坑...
关键词：LGS晶体 化学腐蚀 缺陷分布 提拉法 磷酸 晶体生长 硅酸镓镧 压电材料 
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