云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 何邕

何邕: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>; 发文主题：等离子体辅助存储元件衬底氧化铌铌更多>>; 发文领域：化学工程轻工技术与工程自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《无机材料学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>

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氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备PMN-PT薄膜的微观结构和电学性能(英文): 《无机材料学报》2011年第11期1227-1232,共6页何邕李效民高相东冷雪王炜; National Basic Research Program of China(973 Program)(2009CB623304);National Natural Science Foundation of China(11090332); 采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积方法(PLD)在硅衬底上,制备出高度(001)取向的钙钛矿相结构钛铌镁酸铅(PMN-PT)薄膜.研究了氧等离子体辅助对PMN-PT薄膜相结构、微观形貌和电学性能的影响.结果表明,通过在薄膜沉积过程中引入高活性的氧等...; 关键词：脉冲激光沉积法 PMN-PT薄膜微观结构电学性能