元磊

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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：碳化硅SUB集电区肖特基接触外延层更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重点项目国家重点基础研究发展计划更多>>
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Ga_(2)O_(3)器件表面钝化技术研究进展
《半导体技术》2023年第12期1062-1070,共9页张弘鹏 贾仁需 陈铖颖 元磊 张宏怡 彭博 
国家自然科学基金资助项目(U21A20501);福建省自然科学基金引导性项目(2023H0052);福建省中青年教师教育科研项目(JAT220341);厦门市自然科学基金资助项目(3502Z20227070);厦门市重大科技项目(3502Z20221022);厦门理工学院高层次人才科研项目(YKJ22049R)。
氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带、高理论击穿电场强度、高Baliga优值(BFOM)等优异特性,是制备高压大功率器件的理想半导体材料之一。但是,实现良好的器件表面钝化,尤其是改善绝缘介质/Ga_(2)O_(3)的界面特性仍然是Ga_(2)O_(3)器件研...
关键词：表面钝化 氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 能带工程 表面边缘终端 高k介质 
1200V 4H-SiC结势垒肖特基二极管温度特性研究
《大功率变流技术》2016年第5期59-61,共3页袁昊 宋庆文 汤晓燕 元磊 张义门 张玉明 
国家自然基金项目(61404098;61176070及61274079);国家教育部博士点专项基金(20110203110010;20130203120017);国家重点基础研究计划(2015CB759600);中国教育部重点项目(625010101)
为了更好地研究温度对碳化硅结势垒肖特基二极管（SiC JBS）静态电学参数的影响,我们成功制备了1.2 k V SiC JBS并对其在25℃-150℃温度范围内的静态I-V特性进行了研究。结果显示,常温工况下,所制器件在偏压为1.5 V时的正向电流可以达到...
关键词：4H-SIC JBS 温度特性 
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