袁昊

作品数：4被引量：2H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
发文主题：二极管4H-SIC碳化硅超宽带MOSFET更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《科技导报》《强激光与粒子束》《现代应用物理》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重点项目国家重点基础研究发展计划更多>>
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基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术被引量：1
《强激光与粒子束》2024年第1期43-48,共6页郭登耀 汤晓燕 宋庆文 周瑜 郭京凯 孙乐嘉 袁昊 杜丰羽 张玉明 
国家自然科学基金项目(62174123)。
利用Sentaurus搭建了碳化硅漂移阶跃恢复二极管(DSRD)与雪崩整形二极管(DAS)全电路仿真模型,研究了碳化硅等离子体器件在脉冲锐化方面的能力,并且通过器件内部等离子浓度分布解释了这两种器件实现脉冲锐化的机制。借助碳化硅DSRD可以将...
关键词：碳化硅 漂移阶跃恢复二极管 雪崩整形二极管 超宽带 
一种基于SIC DSRD脉冲功率系统的优化方法
《现代应用物理》2023年第4期138-142,共5页郭京凯 弋锦 周瑜 郭登耀 张雨 袁昊 杜丰羽 汤晓燕 宋庆文 孙乐嘉 张玉明 
国家自然科学基金资助项目(62174123)。
从脉冲功率系统优化的角度,提出了漂移阶跃恢复二极管(drift step recovery diodes, DSRD)器件的最优面积选取方法,建立了单开关DSRD驱动电路的线性拟合解析模型;结合SiC材料短空穴寿命的特性,提出了SiC基DSRD驱动电路参数的优化方案;...
关键词：脉冲功率系统 漂移阶跃恢复二极管 碳化硅 亚纳秒 
4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展被引量：1
《科技导报》2021年第14期63-68,共6页张玉明 袁昊 汤晓燕 宋庆文 何艳静 李东洵 白志强 
国家自然科学基金项目(61804118);陕西省重点研发计划项目(2018ZDL-GY01-03)。
4H-SiC功率器件作为一种宽禁带半导体器件,凭借突出的材料优势具有耐压高导通电阻低散热好等优势。近年来随着器件的逐步商用,器件的可靠性问题成为新的研究热点。综述了本课题组近期在4H-SIC功率二极管可靠性方面的研究进展,通过高温...
关键词：4H-SIC 二极管 MOSFET 
1200V 4H-SiC结势垒肖特基二极管温度特性研究
《大功率变流技术》2016年第5期59-61,共3页袁昊 宋庆文 汤晓燕 元磊 张义门 张玉明 
国家自然基金项目(61404098;61176070及61274079);国家教育部博士点专项基金(20110203110010;20130203120017);国家重点基础研究计划(2015CB759600);中国教育部重点项目(625010101)
为了更好地研究温度对碳化硅结势垒肖特基二极管（SiC JBS）静态电学参数的影响,我们成功制备了1.2 k V SiC JBS并对其在25℃-150℃温度范围内的静态I-V特性进行了研究。结果显示,常温工况下,所制器件在偏压为1.5 V时的正向电流可以达到...
关键词：4H-SIC JBS 温度特性 
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