王志玮

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发文主题：超深亚微米CMOS器件亚微米工艺微米自对准更多>>
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超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作
《微电子学》2005年第1期93-96,99,共5页王志玮 徐秋霞 
自然科学基金资助项目(60276022)
进入超深亚微米领域以后,传统CMOS器件遇到了器件物理、工艺技术等方面难以逾越 的障碍。普遍认为,必须引入新结构和新材料来延长摩尔定律的寿命。其中,双栅CMOS被认为是 新结构中的首选。在制作平面型双栅MOS器件中,采用自对准假栅结构...
关键词：双栅MOSFET 自对准 亚微米工艺 假栅 
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