冯连东

作品数：3被引量：9H指数：2
导出分析报告
供职机构：沈阳理工大学机械工程学院更多>>
发文主题：化学机械抛光单晶硅片研磨平面度误差磁头更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程金属学及工艺更多>>
发文期刊：《东北大学学报（自然科学版）》《光学精密工程》更多>>
所获基金：辽宁省教委基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
硅片抛光的接触压强分布与宏观形貌创成机理
《东北大学学报（自然科学版）》2011年第8期1173-1177,共5页关学锋 吕玉山 冯连东 
国家自然科学基金资助项目(50875179)
为了获得单晶硅片化学机械抛光过程中的接触压强分布及其对基片平面度的影响规律,从化学机械抛光的实际出发,建立了抛光过程的接触力学模型和数学模型.利用有限元方法对接触压强分布进行了计算和分析,并利用抛光实验对计算结果进行了验...
关键词：化学机械抛光 单晶硅片 接触压强分布 平面度误差 
护环对硅片抛光表面压强分布和轮廓的影响被引量：6
《光学精密工程》2008年第4期689-695,共7页吕玉山 王军 张辽远 冯连东 
辽宁省教委基金资助项目(No.LN556)
为了获得单晶硅片化学机械抛光过程中护环对接触压强分布的影响规律，从有护环化学机械抛光实际出发，建立了抛光过程的接触力学模型和边界条件，利用有限元法对有护环抛光接触状态时的接触压强分布进行了计算和分析，并利用抛光实验对...
关键词：化学机械抛光 单晶硅片 接触压强分布 平面度误差 
硬磁盘基片研磨的运动分析被引量：3
《沈阳工业学院学报》2004年第4期14-18,共5页冯连东 吕玉山 哈兰涛 
分析了在硬磁盘基片研磨过程中的运动状况.建立了行星式研磨机的运动学模型.基于这个模型利用蒙特卡罗法分别对磨料切削轨迹、切痕方向的变化、基片表面的瞬态速度场和平均相对速度场等进行了数值模拟,并根据模拟结果研究讨论了在研磨...
关键词：硬盘 基片 运动分析 去除率 磁头 计算机设备 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部